熱門關(guān)鍵詞: TI/德州儀器國巨電阻順絡(luò)電感風(fēng)華電容ST/意法半導(dǎo)體

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PMEG4010BEA,115是Nexperia開發(fā)的平面最大效率通用型(MEGA)肖特基勢壘整流二極管,專為高能效電源管理設(shè)計(jì)。其核心優(yōu)勢在于超低正向壓降(典型值540mV@1A,最大值640mV),顯著減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。器件集成應(yīng)力保護(hù)環(huán),支持40V反向電壓和1A連續(xù)正向電流,并具備10A正向浪涌電流耐受能力,適用于嚴(yán)苛環(huán)境。
1. 能效優(yōu)化:
§ 低至640mV@1A的正向壓降(Vf),比傳統(tǒng)肖特基二極管降低20%以上,減少功率損耗,尤其適用于電池供電設(shè)備。
§ 快速恢復(fù)特性(<500 ns),抑制開關(guān)瞬態(tài)振蕩,提升DC-DC轉(zhuǎn)換器頻率響應(yīng)。
2. 小型化封裝設(shè)計(jì):
§ 采用SOD-323(SC-76) 封裝,占板面積僅1.7 × 1.25 mm,高度不足1 mm,兼容高密度PCB布局,替代SOT23時(shí)功耗相當(dāng)?shù)w積縮減50%。
3. 高可靠性保障:
§ 符合AEC-Q101車規(guī)標(biāo)準(zhǔn),工作結(jié)溫范圍-65°C至+150°C,適應(yīng)工業(yè)與汽車電子環(huán)境。
§ 漏電流低至100μA@40V,反向電容僅50pF@1V,降低高頻應(yīng)用中的寄生損耗。
參數(shù)類別 | 指標(biāo) |
反向電壓(Vr) | 40 V(最大值) |
正向電流(Io) | 1 A(直流) |
正向壓降(Vf) | 640 mV @ 1A(最大值) |
反向漏電流(Ir) | 100 μA @ 40V(最大值) |
結(jié)工作溫度(Tj) | -65°C 至 +150°C |
封裝熱阻(RθJA) | 550 K/W(典型值) |
注:浪涌電流耐受(Ifsm)達(dá)10A,確保抗沖擊能力。
1. 高效電源轉(zhuǎn)換:
用于DC-DC降壓/升壓電路,如手機(jī)快充模塊與POL(點(diǎn)負(fù)載)轉(zhuǎn)換器,提升能效至95%以上。
2. 電路保護(hù):
§ 電壓鉗位:吸收感性負(fù)載開關(guān)瞬態(tài)(如電機(jī)驅(qū)動),保護(hù)MCU GPIO端口。
§ 阻塞二極管:防止電池反接,結(jié)合低VF特性減少壓降損失。
3. 便攜設(shè)備優(yōu)化:
超小封裝與低功耗特性(靜態(tài)功耗<1 mW),契合TWS耳機(jī)、IoT傳感器等空間受限設(shè)備。
· 環(huán)保合規(guī):符合RoHS、無鉛(Lead-Free)及REACH SVHC標(biāo)準(zhǔn)。
· 壽命驗(yàn)證:通過JEDEC JESD22-A108加速老化測試,MTBF(平均無故障時(shí)間)超100萬小時(shí)。
· 標(biāo)識與溯源:器件表面絲印“V3”標(biāo)識,原廠批次號可追溯。
· SMT兼容性:支持回流焊(峰值溫度260°C)與波峰焊工藝,MSL-1級防潮標(biāo)準(zhǔn),無需烘烤。
PMEG4010BEA,115以低損耗、高密度、車規(guī)級可靠性重塑了肖特基二極管的性能標(biāo)桿。其技術(shù)參數(shù)精準(zhǔn)匹配高效電源、便攜設(shè)備及汽車電子的核心需求,結(jié)合Nexperia成熟的品控體系,為工程師提供兼顧能效與空間優(yōu)化的半導(dǎo)體解決方案。
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