TIL117M光電耦合器的技術特性與應用解析

技術特點與性能優勢

TIL117M的核心設計聚焦于高電壓隔離與信號穩定性。其內部結構包含砷化鎵紅外發光二極管和硅光電晶體管，通過光信號傳輸實現輸入/輸出端的電氣隔離，有效阻斷高壓浪涌或地線干擾。兩大品牌版本的參數差異顯著：

· 隔離能力：Everlight版本提供5000Vrms隔離電壓，滿足基礎工業需求；安森美版本則高達7500Vpk，適用于對絕緣要求更嚴苛的場景（如醫療設備或高壓電源）。

· 電氣性能：

§ 低導通損耗：集射極飽和電壓（Vce）僅400mV，減少功率損耗。

§ 快速響應：上升/下降時間2μs（安森美版）或6-8μs（Everlight版），確保信號傳輸實時性。

§ 寬溫適應性：Everlight版支持-55℃~110℃，安森美版覆蓋-40℃~100℃，適應極端環境。

封裝設計與兼容性

采用行業通用的6引腳DIP封裝，兼容自動插入式產線安裝（Through Hole）。Everlight的封裝高度為10.16mm，而安森美版本更緊湊（7.62mm），用戶需根據電路板空間和散熱需求選型。封裝管腳包含基極引腳，允許外部偏置控制，優化開關速度與抗噪性。

核心應用場景

TIL117M的高可靠性與電氣隔離特性使其成為以下系統的關鍵組件：

· 工業自動化：PLC輸入/輸出隔離、電機驅動控制，防止高壓竄擾損壞低壓電路。

· 數字通信：微處理器接口電平轉換，匹配不同電壓域的器件（如5V MCU與3.3V傳感器）。

· 醫療設備：符合UL/VDE安全認證（安森美版），用于監護儀或診斷設備的信號隔離。

參數深度解析

· 電流傳輸比（CTR）：最小值50%@10mA，保障信號傳輸效率，避免因老化導致的性能衰減。

· 輸入/輸出特性：正向壓降（Vf）1.18–1.32V，與低功耗邏輯電路兼容；輸出端耐受電壓30V（安森美版）或80V（Everlight版），適配多種負載。

· 安全認證：安森美版本通過UL（E90700） 和 VDE（94766/102497） 認證，白色封裝型號（如TIL117VM）可選增強絕緣選項。

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