DMN1004UFV-13：N溝道MOSFET功率半導(dǎo)體器件

DMN1004UFV-13是一款性能優(yōu)異的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管，采用先進(jìn)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)制造。這款器件由全球知名的半導(dǎo)體制造商Diodes Incorporated（美臺(tái)半導(dǎo)體） 生產(chǎn)，以其高效率和高可靠性在現(xiàn)代電子電路中發(fā)揮著重要作用，尤其適用于需要高電流處理能力和緊湊空間設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。

本品采用PowerDI3333-8（UX類(lèi)） 封裝。這種封裝類(lèi)型屬于表面貼裝器件（SMD），專(zhuān)為高功率密度和高效散熱而優(yōu)化，非常適合于自動(dòng)化PCB組裝流程，能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)小型化和高集成的嚴(yán)格要求。

技術(shù)特性與電氣參數(shù)

DMN1004UFV-13的設(shè)計(jì)專(zhuān)注于提供低導(dǎo)通損耗和高速開(kāi)關(guān)性能。其漏源電壓（Vdss） 額定值為12V，能夠承受高達(dá)70A的連續(xù)漏極電流（Tc條件下）。這意味著它非常適合處理高負(fù)載電流的應(yīng)用，如電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池保護(hù)電路。

該器件的一個(gè)突出特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），最大值僅為3.8毫歐（在15A電流和4.5V柵極電壓條件下測(cè)量）。低導(dǎo)通電阻直接轉(zhuǎn)化為更低的熱損耗和更高的系統(tǒng)效率，使得器件在運(yùn)行時(shí)發(fā)熱更少，或者在相同溫度下能夠處理更大的電流。

柵極閾值電壓（Vgs(th)） 最大值為1V（在250μA測(cè)試電流下），表明這是一款增強(qiáng)型MOSFET，需要正柵極電壓來(lái)形成導(dǎo)電溝道。其驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 為2.5V和4.5V，而柵極-源極電壓（Vgs） 最大值為±8V，為用戶提供了靈活驅(qū)動(dòng)選擇的同時(shí)，也需要注意不要超過(guò)這個(gè)絕對(duì)最大值，以免損壞器件。

在開(kāi)關(guān)性能方面，DMN1004UFV-13表現(xiàn)出色。3提供了其動(dòng)態(tài)特性的詳細(xì)數(shù)據(jù)：

· 柵極電荷（Qg） 最大值為47nC（在8V柵極-源極電壓下）。Qg值是計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)電路要求和開(kāi)關(guān)損耗的關(guān)鍵參數(shù)。

· 輸入電容（Ciss） 最大值為2385pF（在6V漏源電壓下）。該電容會(huì)影響器件的開(kāi)關(guān)速度。

· 其上升時(shí)間為10.7 ns，下降時(shí)間為16.9 ns，典型開(kāi)通延遲時(shí)間為5.3 ns，典型關(guān)斷延遲時(shí)間為31.6 ns。這些快速的開(kāi)關(guān)特性使其適用于高頻開(kāi)關(guān)電路，如DC-DC轉(zhuǎn)換器。

器件的最大功率耗散能力為1.9W（Ta），這體現(xiàn)了其所能承受的熱負(fù)荷。其工作結(jié)溫范圍（TJ） 寬廣，從-55°C到+150°C，保證了器件在各種苛刻環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用領(lǐng)域

DMN1004UFV-13憑借其高電流容量、低導(dǎo)通電阻和小型化封裝，非常適合多種功率管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用，例如：

· DC-DC轉(zhuǎn)換器：在服務(wù)器、通信設(shè)備及工業(yè)系統(tǒng)的電源模塊中，用于同步整流和開(kāi)關(guān)拓?fù)洌苡行嵘D(zhuǎn)換效率。

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)電路：為便攜式設(shè)備（如智能手機(jī)、平板電腦）中的各個(gè)功能模塊提供高效的電源分配和開(kāi)關(guān)控制。

· 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制：驅(qū)動(dòng)小型直流電機(jī)，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、汽車(chē)輔助系統(tǒng)及工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中。

· 電池保護(hù)與管理模塊：在電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)和便攜式設(shè)備電池組中，實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)、放電控制等關(guān)鍵功能。

總結(jié)

Diodes Incorporated生產(chǎn)的DMN1004UFV-13是一款高性能N溝道功率MOSFET，采用緊湊的PowerDI3333-8（UX類(lèi)） 表面貼裝封裝。其12V的漏源電壓、高達(dá)70A的連續(xù)漏極電流以及僅3.8毫歐的超低導(dǎo)通電阻，使其在電源管理和功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中能顯著提升效率并減少熱量產(chǎn)生。先進(jìn)的MOSFET技術(shù)確保了其快速的開(kāi)關(guān)特性（如47nC的低柵極電荷）和優(yōu)異的熱性能（1.9W功率耗散，-55°C至150°C工作溫度）。這些特點(diǎn)讓DMN1004UFV-13成為要求高功率密度和高可靠性的現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)的理想選擇，尤其適用于空間受限且對(duì)效率要求苛刻的場(chǎng)景。

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