產(chǎn)品詳細(xì)說明

英諾賽科INN650D260A是一款基于氮化鎵技術(shù)的增強(qiáng)型功率晶體管，作為革命性的寬禁帶半導(dǎo)體器件，它在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能優(yōu)勢(shì)。該器件采用DFN8*8封裝，在保持優(yōu)異散熱性能的同時(shí)，為電源設(shè)計(jì)師提供了更大的布局靈活性，特別適合對(duì)體積和效率有嚴(yán)苛要求的應(yīng)用場(chǎng)景。

核心技術(shù)特性

INN650D260A的最突出特點(diǎn)是其高達(dá)650V的耐壓能力，瞬態(tài)耐壓甚至可達(dá)750V，確保在惡劣的工作環(huán)境下仍能穩(wěn)定運(yùn)行。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比，這款氮化鎵器件具有零反向恢復(fù)電荷的特性，這極大地降低了開關(guān)過程中的損耗，使得系統(tǒng)能夠在更高的頻率下工作。

該器件擁有極低的柵極電荷和輸出電荷，這使得開關(guān)速度大大加快，開關(guān)損耗顯著降低。與同類型的功率半導(dǎo)體器件相比，INN650D260A的導(dǎo)通阻抗典型值大幅優(yōu)化，意味著在相同電流條件下，導(dǎo)通損耗會(huì)更低，系統(tǒng)整體效率更高。

該產(chǎn)品符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用要求，內(nèi)置ESD靜電保護(hù)功能，符合RoHS、無鉛和歐盟REACH法規(guī)，滿足全球市場(chǎng)對(duì)環(huán)保和安全的基本要求。

應(yīng)用領(lǐng)域與解決方案

INN650D260A適用于65-120W的反激架構(gòu)以及120-200W的LLC架構(gòu)電源設(shè)計(jì)。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，它廣泛應(yīng)用于PD快充充電器中，利用氮化鎵的高頻特性實(shí)現(xiàn)充電器的小型化和高效化。

在2023年英諾賽科推出的多款高效解決方案中，基于INN650D260A的65W AllGaN方案采用了在高壓側(cè)和低壓側(cè)同時(shí)使用氮化鎵芯片的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，開創(chuàng)了全氮化鎵在快充領(lǐng)域的應(yīng)用，系統(tǒng)效率高達(dá)94.6%@230Vac，功率密度達(dá)到31W/in3。

除消費(fèi)電子外，該器件還可用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、通信電源、工業(yè)電源系統(tǒng)以及新能源領(lǐng)域的光伏微逆和儲(chǔ)能系統(tǒng)。其高可靠性和高效率特性使得終端產(chǎn)品能夠在保持高性能的同時(shí)，減少能源消耗，符合全球低碳發(fā)展的趨勢(shì)。

品牌實(shí)力與技術(shù)支撐

英諾賽科作為全球領(lǐng)先的GaN IDM企業(yè)，擁有從芯片設(shè)計(jì)、制造到封測(cè)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力。根據(jù)市場(chǎng)數(shù)據(jù)，英諾賽科已向市場(chǎng)交付了超過1億顆氮化鎵芯片，產(chǎn)品性能和可靠性得到了客戶的廣泛認(rèn)可。

在產(chǎn)能方面，英諾賽科珠海生產(chǎn)基地產(chǎn)能達(dá)到4K片/月，而蘇州產(chǎn)線量產(chǎn)通線后，第一階段產(chǎn)能達(dá)到6K片/月，滿產(chǎn)后產(chǎn)能可高達(dá)65K片/月，為市場(chǎng)供應(yīng)提供了強(qiáng)有力的保障。

總結(jié)

INN650D260A作為英諾賽科推出的高性能氮化鎵功率器件，通過優(yōu)異的電氣特性和緊湊的封裝設(shè)計(jì)，為現(xiàn)代電力電子設(shè)備提供了高效、高功率密度的解決方案。它的技術(shù)優(yōu)勢(shì)正推動(dòng)著消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、新能源等多個(gè)領(lǐng)域的電源技術(shù)創(chuàng)新，助力電子設(shè)備向更高效、更節(jié)能、更小巧的方向發(fā)展。

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